Микросхема представляет собой ОЗУ на 1024 бит (1024x1) со схемами разрядного и адресного управления.
Содержит 7500 интегральных элементов.
Корпус К155РУ7 типа 238.16-2, масса ≤ 2 г.
Корпус ИМС К155РУ7
Корпус ИМС К155РУ7
Условное графическое обозначение
Условное графическое обозначение
Назначение выводов
№ вывода
Назначение
1
вход разрешения выборки V1
2-6,9-13
адресные входы A0-A9
7
выход
8
общий
14
вход разрешения записи V2
15
вход информационный D
16
напряжение питания
Электрические параметры
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания
5 В ± 5 %
Выходное напряжение низкого уровня
≤ 0,45 В
Выходное напряжение высокого уровня
≥ 2,4 В
Напряжение на антизвонном диоде
≥ -1,5 В
Входной ток низкого уровня
≤ -0,4 мА
Выходной ток высокого
≤ 0,04 мА
Ток потребления
≤ 140 мА
Время выборки адреса
≤ 45 нс
Время выборки разрешения
≤ 35 нс
Время выборки хранения
≤ 35 нс
Время выборки записи
≤ 35 нс
Время выборки считывания
≤ 40 нс
Входная емкость
≤ 5 пФ
Выходная емкость
≤ 8 пФ
Электрические параметры
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания
5 В ± 5%
Выходное напряжение низкого уровня
≤ 0,45 В
Выходное напряжение высокого уровня
≥ 2,4 В
Напряжение на антизвонном диоде
≥ -1,5 В
Входной ток низкого уровня
≤ -0,4 мА
Входной ток высокого уровня
≤ 0,04 мА
Входной ток в состоянии «выключено»
± 50 мкА
Ток короткого замыкания
≤ 100 мА
Ток потребления
≤ 140 мА
Удельная потребляемая мощность
≤ 0,7 мВт/бит
Время выборки адреса для перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня
≤ 45 нс
Время выборки адреса для перехода из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня
≤ 45 нс
Время выборки разрешения для перехода из третьего состояния в состояние низкого уровня
≤ 35 нс
Время выборки разрешения для перехода из третьего состояния в состояние высокого уровня
≤ 35 нс
Время выборки хранения для перехода из состояния низкого уровня в третье состояние
≤ 35 нс
Время выборки хранения для перехода из состояния высокого уровня в третье состояние
≤ 35 нс
Время выборки записи для перехода из состояния низкого уровня в третье состояние
≤ 35 нс
Время выборки записи для перехода из состояния высокого уровня в третье состояние
≤ 35 нс
Время выборки считывания для перехода из третьего состояния в состояние низкого уровня
≤ 40 нс
Время выборки считывания для перехода из третьего состояния в состояние высокого уровня
≤ 40 нс
Входная емкость
≤ 5 пФ
Выходная емкость
≤ 8 пФ
Зарубежные аналоги
93425APC
Литература
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги
: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:ИП РадиоСофт, 1998г. - 640с.:ил.
Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги
Справочник. Перельман Б.Л.,Шевелев В.И. "НТЦ Микротех", 1998г.,376 с. - ISBN-5-85823-006-7
