К155РП1 (74170)


Микросхема К155РП1 (74170) — матрица памяти. Она имеет 16 ячеек и позволяет хранить 4 слова по 4 бита каждое. Микросхема организована по системе четырех файл-регистров, что позволяет независимо и одновременно записывать в память одно слово и считывать из нее другое,
В микросхеме К155РП1 (74170) каждый триггер имеет вход D, а также два входа разрешения записи от этого входа: V и &. На входы V и & в требуемых фазах поступают разрешающие сигналы управления от входов адресов записи WА и WB. Все входы D четырех горизонтальных линий триггеров соединены параллельно. Число входов данных — четыре (D1 — D4) — соответствует числу горизонтальных линий. Следовательно, перебирая все четыре варианта подачи напряжения низкого и высококого уровня на входы WA и WB, можно разрешить одному из четырёх столбиков триггеров сразу защелкнуть данные, которые есть в этот момент на входах Dl — D4. Данные будут храниться только в выбранном вертикальном файле (от слава file — папка для документов; в данном случае — стоящая на полке, одну папку можно снять с полки для чтения, в другую — одновременно делать записи).
Посмотреть содержимое выбранного файла К155РП1 (74170) можно с помощью дешифратора считывания. Он управляется сигналами адреса считывания RA и RB (четыре адреса). Выбрав один из них, можно разрешить отображение на выходах Ql — Q4 состояния выходов Q четырех - триггеров нужного нам столбика.
Четырехразрядное слово, которое надо записать в память, подается на входы данных Dl — D4. Логические уровни на входах адреса записи WA и WB будут определять расположение этого слова.
Если на вход разрешения записи WE подано напряжение активного низкого уровня, данные поступят в ячейки выбранной одной из четырех вертикальных колонок (файлов). Данные будут прочтены на выходах в прямом (неинвертированном) коде. Если на вход WE подано напряжение высокого уровня, входы данным и адресам будут запрещены. Условия выбора режима записи сведены в таблице.
Прямой доступ к данным К155РП1 (74170), накопленным в колонках, осуществляется благодаря независимым от адресов WA, WB адресам счнтывания RA и RB. Если на вход, разрешения считывания WE подано напряжение активного низкого уровня, то выбранное по адресу RA, RB слово появится на выходах Ql — Q4. Выход данным запрещается и на, выходах остаются напряжения высокого уровня, когда на вход RE подается напряжение высокого уровня. Выбор режимов считывания данных из внутренних защелок отображен в таблице. Считываемые данные появляются на выходах Qn.
Выходы Ql — Q4 имеют открытые коллекторы. Такие выходы можно соединять непосредственно. При этом объединяется до 256 приборов РП1, что дает емкость устройства памяти 1024 слова по 4 бита. Можно сделать параллельное наращивание длины слова до n бит, если параллельно соединять входы разрешения и адресации нескольких микросхем РП1. Порядок выбора адреса записи данных в ОЗУ РП1 соответствует таблице, где код Q = D на выходах четырех выбранных внутренних триггеров-защелок соответствует коду, присутствующему на четырех внешних входах данных, а Q0 — код, установившийся перед сменой состояний.
Порядок выбора адреса для считывания данных из ОЗУ РП1 указан в таблице. На выходах Ql — Q4.данные появляются согласно коду адреса: С1Б1 — первый бит слова l, С2Б2 — второй бит слова 2,... С4Б4 — четвертый бит слова 4.
Микросхема К155РП1 (74170) потребляет ток питания 150 мА. Наибольшее время задержки распространении сигнала от
Зарубежным аналогом микросхемы К155РП1 является микросхема 74170.
Режим | Вход | Состояние внутренней защёлки | |
---|---|---|---|
WE | Dn | ||
Запись | Н | Н | Н |
Н | В | В | |
Защёлкивание | В | х | Без |
Режим работы | Вход | Выход Qn | |
---|---|---|---|
RE | Внутренняя защёлка | ||
Считывание данных | Н | Н | Н |
Н | В | В | |
Запрет считывания | х | В | В |
Выход записи | Слово | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
WB | WA | WE | 1 | 2 | 3 | 4 |
Н | Н | Н | Q=D | Q0 | Q0 | Q0 |
Н | В | Н | Q0 | Q=D | Q0 | Q0 |
В | Н | Н | Q0 | Q0 | Q=D | Q0 |
В | В | Н | Q0 | Q0 | Q0 | Q0=D |
х | х | В | Q0 | Q0 | Q0 | Q0 |
Выход записи | Слово | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
RB | RA | RE | Q1 | Q2 | Q3 | Q4 |
Н | Н | Н | С1Б1 | С1Б2 | С1Б3 | С1Б4 |
Н | В | Н | С2Б1 | С2Б2 | С2Б3 | С2Б4 |
В | Н | Н | С3Б1 | С3Б2 | С3Б3 | С3Б4 |
В | В | Н | С4Б1 | С4Б2 | С4Б3 | QС4Б4 |
х | х | В | В | В | В | В |