К155РП1 (74170)

Условное графическое изображение К155РП1 74170
Условное графическое изображение К155РП1 74170
К155РП1 74170
К155РП1 74170

Микросхема К155РП1 (74170) — матрица памяти. Она имеет 16 ячеек и позволяет хранить 4 слова по 4 бита каждое. Микросхема организована по системе четырех файл-регистров, что позволяет независимо и одновременно записывать в память одно слово и считывать из нее другое,

В микросхеме К155РП1 (74170) каждый триггер имеет вход D, а также два входа разрешения записи от этого входа: V и &. На входы V и & в требуемых фазах поступают разрешающие сигналы управления от входов адресов записи WА и WB. Все входы D четырех горизонтальных линий триггеров соединены параллельно. Число входов данных — четыре (D1 — D4) — соответствует числу горизонтальных линий. Следовательно, перебирая все четыре варианта подачи напряжения низкого и высококого уровня на входы WA и WB, можно разрешить одному из четырёх столбиков триггеров сразу защелкнуть данные, которые есть в этот момент на входах Dl — D4. Данные будут храниться только в выбранном вертикальном файле (от слава file — папка для документов; в данном случае — стоящая на полке, одну папку можно снять с полки для чтения, в другую — одновременно делать записи).

Посмотреть содержимое выбранного файла К155РП1 (74170) можно с помощью дешифратора считывания. Он управляется сигналами адреса считывания RA и RB (четыре адреса). Выбрав один из них, можно разрешить отображение на выходах Ql — Q4 состояния выходов Q четырех - триггеров нужного нам столбика.

Четырехразрядное слово, которое надо записать в память, подается на входы данных Dl — D4. Логические уровни на входах адреса записи WA и WB будут определять расположение этого слова.

Если на вход разрешения записи WE подано напряжение активного низкого уровня, данные поступят в ячейки выбранной одной из четырех вертикальных колонок (файлов). Данные будут прочтены на выходах в прямом (неинвертированном) коде. Если на вход WE подано напряжение высокого уровня, входы данным и адресам будут запрещены. Условия выбора режима записи сведены в таблице.

Прямой доступ к данным К155РП1 (74170), накопленным в колонках, осуществляется благодаря независимым от адресов WA, WB адресам счнтывания RA и RB. Если на вход, разрешения считывания WE подано напряжение активного низкого уровня, то выбранное по адресу RA, RB слово появится на выходах Ql — Q4. Выход данным запрещается и на, выходах остаются напряжения высокого уровня, когда на вход RE подается напряжение высокого уровня. Выбор режимов считывания данных из внутренних защелок отображен в таблице. Считываемые данные появляются на выходах Qn.

Выходы Ql — Q4 имеют открытые коллекторы. Такие выходы можно соединять непосредственно. При этом объединяется до 256 приборов РП1, что дает емкость устройства памяти 1024 слова по 4 бита. Можно сделать параллельное наращивание длины слова до n бит, если параллельно соединять входы разрешения и адресации нескольких микросхем РП1. Порядок выбора адреса записи данных в ОЗУ РП1 соответствует таблице, где код Q = D на выходах четырех выбранных внутренних триггеров-защелок соответствует коду, присутствующему на четырех внешних входах данных, а Q0 — код, установившийся перед сменой состояний.

Порядок выбора адреса для считывания данных из ОЗУ РП1 указан в таблице. На выходах Ql — Q4.данные появляются согласно коду адреса: С1Б1 — первый бит слова l, С2Б2 — второй бит слова 2,... С4Б4 — четвертый бит слова 4.

Микросхема К155РП1 (74170) потребляет ток питания 150 мА. Наибольшее время задержки распространении сигнала от

Зарубежным аналогом микросхемы К155РП1 является микросхема 74170.

Выбор режимов записи в память микросхемы К155РП1
Режим Вход Состояние внутренней защёлки
WEDn
ЗаписьННН
НВВ
ЗащёлкиваниеВхБез
Выбор режима считывания из памяти микросхемы К155РП1
Режим работы Вход Выход Qn
REВнутренняя защёлка
Считывание данныхННН
НВВ
Запрет считыванияхВВ
Состояние ОЗУ К155РП1 при записи
Выход записи Слово
WBWAWE1234
НННQ=DQ0Q0Q0
НВНQ0Q=DQ0Q0
ВННQ0Q0Q=DQ0
ВВНQ0Q0Q0Q0=D
ххВQ0Q0Q0Q0
Состояние ОЗУ К155РП1 при считывании
Выход записи Слово
RBRAREQ1Q2Q3Q4
НННС1Б1С1Б2С1Б3С1Б4
НВНС2Б1С2Б2С2Б3С2Б4
ВННС3Б1С3Б2С3Б3С3Б4
ВВНС4Б1С4Б2С4Б3QС4Б4
ххВВВВВ