К155РУ7 - ОЗУ на 1024 бит

Микросхема представляет собой ОЗУ на 1024 бит (1024x1) со схемами разрядного и адресного управления. Содержит 7500 интегральных элементов. Корпус К155РУ7 типа 238.16-2, масса ≤ 2 г.

Корпус ИМС К155РУ7

238.16-2 package view
Корпус ИМС К155РУ7

Условное графическое обозначение

Условное графическое обозначение
Условное графическое обозначение
Назначение выводов
№ выводаНазначение
1вход разрешения выборки V1
2-6,9-13адресные входы A0-A9
7выход
8общий
14вход разрешения записи V2
15вход информационный D
16напряжение питания

Электрические параметры

Электрические параметры
Номинальное напряжение питания5 В ± 5 %
Выходное напряжение низкого уровня≤ 0,45 В
Выходное напряжение высокого уровня≥ 2,4 В
Напряжение на антизвонном диоде≥ -1,5 В
Входной ток низкого уровня≤ -0,4 мА
Выходной ток высокого≤ 0,04 мА
Ток потребления≤ 140 мА
Время выборки адреса≤ 45 нс
Время выборки разрешения≤ 35 нс
Время выборки хранения≤ 35 нс
Время выборки записи≤ 35 нс
Время выборки считывания≤ 40 нс
Входная емкость≤ 5 пФ
Выходная емкость≤ 8 пФ

Электрические параметры

Электрические параметры
Номинальное напряжение питания5 В ± 5%
Выходное напряжение низкого уровня≤ 0,45 В
Выходное напряжение высокого уровня≥ 2,4 В
Напряжение на антизвонном диоде≥ -1,5 В
Входной ток низкого уровня≤ -0,4 мА
Входной ток высокого уровня≤ 0,04 мА
Входной ток в состоянии «выключено»± 50 мкА
Ток короткого замыкания≤ 100 мА
Ток потребления≤ 140 мА
Удельная потребляемая мощность≤ 0,7 мВт/бит
Время выборки адреса для перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня≤ 45 нс
Время выборки адреса для перехода из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня≤ 45 нс
Время выборки разрешения для перехода из третьего состояния в состояние низкого уровня≤ 35 нс
Время выборки разрешения для перехода из третьего состояния в состояние высокого уровня≤ 35 нс
Время выборки хранения для перехода из состояния низкого уровня в третье состояние≤ 35 нс
Время выборки хранения для перехода из состояния высокого уровня в третье состояние≤ 35 нс
Время выборки записи для перехода из состояния низкого уровня в третье состояние≤ 35 нс
Время выборки записи для перехода из состояния высокого уровня в третье состояние≤ 35 нс
Время выборки считывания для перехода из третьего состояния в состояние низкого уровня≤ 40 нс
Время выборки считывания для перехода из третьего состояния в состояние высокого уровня≤ 40 нс
Входная емкость≤ 5 пФ
Выходная емкость≤ 8 пФ

Зарубежные аналоги

Литература