К155ЛП7 - два логических элемента 2И-НЕ с общим входом и двумя мощными транзисторами

Микросхема представляет собой два логических элемента 2И-НЕ с общим входом и двумя мощными транзисторами. Содержит 30 интегральных элементов. Корпус К155ЛП7 типа 201.14-2, масса ≤ 1 г.

Корпус ИМС К155ЛП7

201.14-2 package view — Корпус ИМС К155ЛП7

Условное графическое обозначение

Назначение выводов
№ вывода	Назначение
1,2,13	входы
3,12	выходы
4	база VT1
5	коллектор VT1
6	эмиттер VT1
7	общий
8	подложка
9	эмиттер VT2
10	коллектор VT2
11	база VT2
14	напряжение питания

Электрические параметры

Электрические параметры
Номинальное напряжение питания	5 В ± 5 %
Выходное напряжение низкого уровня
на выводах 3,12	≤ 0,4 В
на выводах 5,10 при I_C =100 мА	≤ 0,5 В
на выводах 5,10 при I_C =300 мА	≤ 0,7 В
Выходное напряжение высокого уровня	≥ 2,4 В
Напряжение на антизвонном диоде	≥ -1,5 В
Входной ток низкого уровня
по выводу 1	≤ -3,2 мА
по выводам 2,13	≤ -1,6 мА
Входной ток высокого уровня
по выводу 1	≤ 0,08 мА
по выводам 2,13	≤ 0,04 мА
Входной пробивной ток
по выводу 1	≤ 2 мА
по выводам 2,13	≤ 1 мА
Ток короткого замыкания	-18...-55 мА
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения	≤ 11 мА
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения	≤ 4 мА
Потребляемая статическая мощность	≤ 39 мВт
Время задержки распространения при включении	≤ 50 нс
Время задержки распространения при выключении	≤ 50 нс

Электрические параметры
Номинальное напряжение питания 5 В ± 5 %

Выходное напряжение низкого уровня
на выводах 3,12 ≤ 0,4 В
на выводах 5,10 при I_C =100 мА ≤ 0,5 В
на выводах 5,10 при I_C =300 мА ≤ 0,7 В

Выходное напряжение высокого уровня ≥ 2,4 В

Напряжение на антизвонном диоде ≥ -1,5 В

Входной ток низкого уровня
по выводу 1 ≤ -3,2 мА
по выводам 2,13 ≤ -1,6 мА

Входной ток высокого уровня
по выводу 1 ≤ 0,08 мА
по выводам 2,13 ≤ 0,04 мА

Входной пробивной ток
по выводу 1 ≤ 2 мА
по выводам 2,13 ≤ 1 мА

Ток короткого замыкания -18...-55 мА

Ток потребления при низком уровне выходного напряжения ≤ 11 мА

Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения ≤ 4 мА

Потребляемая статическая мощность ≤ 39 мВт

Время задержки распространения при включении ≤ 50 нс

Время задержки распространения при выключении ≤ 50 нс

Электрические параметры
Выходное напряжение низкого уровня:
Номинальное напряжение питания	5 В ± 5%
на выводах 3, 12	≤ 0,4 В
на выводах 5, 10 при I_с =100 мА	≤ 0,5 В
при I_с =300 мА	≤ 0,7 В
Выходное напряжение высокого уровня	≥ 2,4 В
Напряжение на антизвонном диоде	≥ -1,5 В
Входной ток низкого уровня:
по входу 1	≤ -3,2 мА
по входам 2, 13	≤ -1,6 мА
Входной ток высокого уровня:
по входу 1	≤ 0,08 мА
по входам 2, 13	≤ 0,04 мА
Входной пробивной ток:
по входу 1	≤ 2 мА
по входам 2, 13	≤ 1 мА
Ток короткого замыкания	-18…-55 мА
Выходной ток высокого уровня	≤ 0,1 мА
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения	≤ 11 мА
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения	≤ 4 мА
Потребляемая статическая мощность	≤ 39 мВт
Время задержки распространения при включении	≤ 50 нс
Время задержки распространения при выключении	≤ 50 нс

Зарубежные аналоги

SN75450N

Литература

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:ИП РадиоСофт, 1998г. - 640с.:ил.
Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги: Справочник. Перельман Б. Л.,Шевелев В. И. "НТЦ Микротех", 1998г.,376 с. - ISBN-5-85823-006-7