74170

Описание

Микросхема 74170 содержит оперативное запоминающее устройство с произвольной выборкой объёмом 16 бит (4 слова по 4 бита каждое: 4x4), которое позволяет одновременно записывать и считывать информацию.

Работа схемы

Записываемое в микросхему 74170 4-разрядное слово подается на информационные входы D1 — D4. Предусмотренная для этого слова ячейка памяти определяется с помощью входов адреса записи W_A и W_B. Для записи слова в микросхему 74170 необходимо подать на вход разрешения записи WE напряжение низкого уровня. Если на вход WE подается напряжение высокого уровня, то информационные входы заперты и изменение состояния этих входов больше не оказывает никакого влияния на хранящуюся в памяти информацию. Поэтому внешний дешифратор адреса здесь излишен.

Для считывания из микросхемы 74170 4-разрядного слова адрес ячейки памяти подается на входы R_A и R_B, на вход разрешения чтения RE подается напряжение низкого уровня. Содержимое выбранной ячейки памяти микросхемы 74170 в неинвертированном виде появляется на выходах Q1 — Q4.

Запоминающее устройство разрешает одновременно считывать и записывать информацию. При считывании хранящаяся в памяти информация не стирается.

Выходы имеют открытый коллектор.

Применение

Быстродействующее буферное запоминающее устройство.

Производится следующая номенклатура микросхем: 74170, 74LS170.

Технические данные

Тип микросхемы	74170	74LS170
Максимальное выходное напряжение, В	5,5	5,5
Стандартное время выборки из ЗУ, нс	20	20
Ток потребления, мА	127	25

Состояние микросхемы 74170

Управление записью			Записываемое слово
WE	WB	WA
0	0	0	Слово1
0	0	1	Слово2
0	1	0	Слово3
0	1	1	Слово4
1	X	X	Нет (запись)

Состояние микросхемы 74170

Управление чтением			Считываемое слово
RE	RB	RA
0	0	0	Слово1
0	0	1	Слово2
0	1	0	Слово3
0	1	1	Слово4
1	X	X	Нет (выходы Z)